[发明专利]利用湿式晶片背面接触进行铜镀硅穿孔的方法有效
| 申请号： | 201480032592.3 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105308723B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 罗曼·古科;史蒂文·韦尔韦贝克 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，所述方法包括：提供具有孔的硅基板，所述孔在孔的底部处含有暴露的硅接触表面；在暴露的硅接触表面上沉积金属种晶层；和通过使电流流经基板的背侧而将基板暴露于电镀工艺，以在金属种晶层上形成金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 晶片 背面 接触 进行 铜镀硅 穿孔 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在基板上沉积材料的方法，所述方法包括以下步骤：在硅基板上的孔的底部处的暴露的硅接触表面上沉积金属种晶层；将所述基板的背侧暴露于氢氧化钾溶液同时将所述金属种晶层暴露于含铜溶液，其中所述基板将所述氢氧化钾溶液与所述含铜溶液隔开；和使电流流经所述基板以在所述金属种晶层上形成金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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