[发明专利]在微机电系统感测器中黏滞力减少的方法有效
| 申请号： | 201480032151.3 | 申请日： | 2014-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN105431374B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 席琳娜·张;宁·提 | 申请（专利权）人： | 应美盛股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司11408 | 代理人： | 林柳岑 |
| 地址： | 美国加州951*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的方法包含通过为在形成于衬底上的缓冲块上收集的电荷提供导电路径来减少MEMS装置的黏滞力。所述缓冲块通过在所述衬底上沉积且图案化介电材料形成，且所述导电路径由沉积在所述缓冲块上的导电层提供。所述导电层还可以经粗糙化以减少黏滞力。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 系统 感测器中黏滞力 减少 方法 | ||
【主权项】：
一种减少MEMS装置的黏滞力的方法，其包括：为在形成于衬底上的缓冲块上收集的电荷提供导电路径，其中所述缓冲块通过在所述衬底上沉积且图案化介电材料形成，其中所述导电路径由沉积在所述缓冲块上的第一导电层提供，以及其中第二导电层放置在所述缓冲块和所述衬底之间，并且其中所述第二导电层和所述第一导电层包围所述缓冲块。
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