[发明专利]稀土磁体及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201480031731.0 申请日: 2014-06-05
公开(公告)号: CN105518809B 公开(公告)日: 2018-11-20
发明(设计)人: 伊东正朗;矢野正雄;岸本秀史;佐久间纪次;庄司哲也;真锅明 申请(专利权)人: 丰田自动车株式会社
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;B22F3/00;B22F3/24;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/08;H01F41/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了减少Nd等的量、且磁各向异性优异的稀土磁体及其制造方法。稀土磁体具备晶粒,该晶粒具有(R2(1‑x)R1x)yFe100‑y‑w‑z‑vCowBzTMv(此处,R2为Nd、Pr、Dy、Tb中的至少一种,R1为Ce、La、Gd、Y、Sc中的至少一种或两种以上的合金,TM为Ga、Al、Cu、Au、Ag、Zn、In、Mn中的至少一种,0<x<1,y=12~20,z=5.6~6.5,w=0~8,v=0~2)的整体组成,晶粒的平均粒径为1000nm以下,晶粒由芯部及其周围的外廓部构成,芯部具有R1多于R2的组成,外廓部具有R2多于R1的组成。
搜索关键词: 稀土 磁体 及其 制造 方法
【主权项】:
1.稀土磁体,其具备晶粒,该晶粒具有(R2(1‑x)R1x)yFe100‑y‑w‑z‑vCowBzTMv的整体组成,其中R2为Nd和Pr中的至少一种,R1为Ce、La、Gd、Y、Sc中的至少一种或两种以上的合金,TM为Ga、Al、Cu、Au、Ag、Zn、In、Mn中的至少一种,0<x<1,y=12~20,z=5.6~6.5,w=0~8,v=0~2,并且该晶粒的平均粒径为1000nm以下,由芯部及其周围的外廓部构成,芯部具有R1多于R2的组成或R1与R2的浓度相同的组成,外廓部具有R2多于R1的组成。
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