[发明专利]针对红外辐射的集成成像装置及制造方法在审
申请号: | 201480025935.3 | 申请日: | 2014-04-15 |
公开(公告)号: | CN105190892A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 胡贝特·埃尼赫尔迈尔;雷纳·米尼克斯霍弗;马丁·施雷姆斯 | 申请(专利权)人: | ams有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;尹莹莹 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | 一种集成成像装置,包括:具有集成电路(4)的衬底(1)、覆盖层(2)、被封闭在衬底(1)与覆盖层(2)之间的腔(6)以及被布置在腔(6)中的传感器(5)或传感器(5)的阵列。衬底(1)或覆盖层(2)的与腔(6)相反的表面(11,12)具有对入射辐射进行引导的结构(8)。表面结构(8)可以为对红外辐射进行聚焦的波带片或菲涅尔透镜,并且分别优选地被蚀刻到衬底或覆盖层的表面中。可以设置至少一个穿衬底通孔(9)以使传感器(5)或传感器(5)的阵列与衬底(1)的与腔(6)相反的表面(11)上的连接垫(10)进行电连接。 | ||
搜索关键词: | 针对 红外 辐射 集成 成像 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种集成成像装置,包括:‑包括集成电路(4)的衬底(1);‑覆盖物(2);‑在所述衬底(1)与所述覆盖物(2)之间的电介质层(3);‑传感器(5)或传感器(5)的阵列;‑被包围在所述衬底(1)与所述覆盖物(2)之间的腔(6);以及‑所述衬底(1)的与所述电介质层(3)相反的表面(11)或者所述覆盖物(2)的与所述电介质层(3)相反的表面(12)设置有用于将入射辐射引导至所述传感器(5)或所述传感器(5)的阵列的结构(8),所述集成成像装置的特征在于,‑所述覆盖物(2)包括被接合至形成所述电介质层(3)的表面的硅氧化物的硅,‑所述传感器(5)或所述传感器(5)的阵列被布置在所述腔(6)中,以及‑所述腔(6)为真空的或者包括低于100Pa的气体压强。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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