[发明专利]针对红外辐射的集成成像装置及制造方法在审

专利信息
申请号: 201480025935.3 申请日: 2014-04-15
公开(公告)号: CN105190892A 公开(公告)日: 2015-12-23
发明(设计)人: 胡贝特·埃尼赫尔迈尔;雷纳·米尼克斯霍弗;马丁·施雷姆斯 申请(专利权)人: ams有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王萍;尹莹莹
地址: 奥地利*** 国省代码: 奥地利;AT
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摘要: 一种集成成像装置,包括:具有集成电路(4)的衬底(1)、覆盖层(2)、被封闭在衬底(1)与覆盖层(2)之间的腔(6)以及被布置在腔(6)中的传感器(5)或传感器(5)的阵列。衬底(1)或覆盖层(2)的与腔(6)相反的表面(11,12)具有对入射辐射进行引导的结构(8)。表面结构(8)可以为对红外辐射进行聚焦的波带片或菲涅尔透镜,并且分别优选地被蚀刻到衬底或覆盖层的表面中。可以设置至少一个穿衬底通孔(9)以使传感器(5)或传感器(5)的阵列与衬底(1)的与腔(6)相反的表面(11)上的连接垫(10)进行电连接。
搜索关键词: 针对 红外 辐射 集成 成像 装置 制造 方法
【主权项】:
一种集成成像装置,包括:‑包括集成电路(4)的衬底(1);‑覆盖物(2);‑在所述衬底(1)与所述覆盖物(2)之间的电介质层(3);‑传感器(5)或传感器(5)的阵列;‑被包围在所述衬底(1)与所述覆盖物(2)之间的腔(6);以及‑所述衬底(1)的与所述电介质层(3)相反的表面(11)或者所述覆盖物(2)的与所述电介质层(3)相反的表面(12)设置有用于将入射辐射引导至所述传感器(5)或所述传感器(5)的阵列的结构(8),所述集成成像装置的特征在于,‑所述覆盖物(2)包括被接合至形成所述电介质层(3)的表面的硅氧化物的硅,‑所述传感器(5)或所述传感器(5)的阵列被布置在所述腔(6)中,以及‑所述腔(6)为真空的或者包括低于100Pa的气体压强。
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