[发明专利]增强型III-氮化物器件

摘要

一种III‑N增强型晶体管包括具有导电沟道的III‑N结构、源极接触和漏极接触，以及在源极接触和漏极接触之间的栅电极。绝缘体层在III‑N结构的上方，在晶体管的栅极区中形成穿过绝缘体层的凹部，栅电极至少部分地在该凹部中。该晶体管进一步包括场板，该场板具有在栅电极和漏极接触之间的部分，该场板电连接到源极接触。该栅电极包括延伸部分，该延伸部分在凹部外侧并向漏极接触延伸。导电沟道和栅电极的延伸部分之间的间隔大于导电沟道和场板在栅电极和漏极接触之间的部分之间的间隔。

主权项

一种III‑N器件，包括：III‑N增强型晶体管，所述III‑N增强型晶体管包括源极接触和第一栅极，所述第一栅极在栅极绝缘体上，III‑N耗尽型晶体管，所述III‑N耗尽型晶体管包括漏极接触；III‑N结构，所述III‑N结构包括导电沟道，其中，所述导电沟道的第一部分充当所述III‑N增强型晶体管的器件沟道，所述导电沟道的第二部分充当所述III‑N耗尽型晶体管的器件沟道；绝缘体层，所述绝缘体层在所述III‑N结构上，其中，第一凹部在所述III‑N增强型晶体管的栅极区中形成为穿过所述绝缘体层，并且所述栅极绝缘体和所述第一栅极至少部分地在所述凹部中；电极限定层，所述电极限定层具有厚度，所述电极限定层在所述绝缘体层的上方，其中，第二凹部在所述III‑N耗尽型晶体管的栅极区中形成在所述电极限定层中，所述第二凹部包括邻近所述漏极接触的侧壁；和电极，所述电极在所述第二凹部中，所述电极包括所述III‑N耗尽型晶体管的第二栅极和延伸部分，所述第二栅极在所述III‑N耗尽型晶体管的栅极区中，所述延伸部分至少部分地在所述侧壁上；其中所述电极电连接到所述源极接触。