[发明专利]硅烷化合物或氯硅烷化合物的纯化方法、多晶硅的制造方法和弱碱性离子交换树脂的再生处理方法有效
| 申请号： | 201480020915.7 | 申请日： | 2014-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105143104B | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 石田昌彦;齐藤弘;吉田敦 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107;B01J20/26;B01J20/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 满凤,金龙河 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够在硅烷化合物、氯硅烷化合物的纯化工序中长期稳定地使用用于除去硼杂质的离子交换树脂的技术。本发明中，将硅烷化合物、氯硅烷化合物的纯化中使用的弱碱性离子交换树脂利用含有氯化氢的气体进行清洗处理。在将该清洗处理用于弱碱性离子交换树脂的初始活化的情况下，能够得到更高的杂质吸附能力。另外，通过将该清洗处理用于弱碱性离子交换树脂的再生，能够长时间稳定地使用离子交换树脂。因此，能够削减长期运转中的树脂使用量，能够削减使用后的树脂废弃费用。 | ||
| 搜索关键词： | 硅烷 化合物 纯化 方法 多晶 制造 弱碱 离子交换 树脂 再生 处理 | ||
【主权项】：
一种硅烷化合物或氯硅烷化合物的纯化方法，其中，使用利用含有氯化氢的气体进行了清洗处理的弱碱性离子交换树脂，将硅烷化合物或氯硅烷化合物中含有的硼杂质利用所述弱碱性离子交换树脂吸附除去时，在所述氯化氢气体处理的初期将氯化氢气体浓度设定为0.1体积％～5体积％，在初期放热结束后将氯化氢浓度设定为比处理的初期浓度高的1～50体积％，进行所述弱碱性离子交换树脂的清洗处理。
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