[发明专利]硅烷化合物或氯硅烷化合物的纯化方法、多晶硅的制造方法和弱碱性离子交换树脂的再生处理方法有效
| 申请号： | 201480020915.7 | 申请日： | 2014-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105143104B | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 石田昌彦;齐藤弘;吉田敦 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107;B01J20/26;B01J20/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 满凤,金龙河 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅烷 化合物 纯化 方法 多晶 制造 弱碱 离子交换 树脂 再生 处理 | ||
1.一种硅烷化合物或氯硅烷化合物的纯化方法，其中，使用利用含有氯化氢的气体进行了清洗处理的弱碱性离子交换树脂，将硅烷化合物或氯硅烷化合物中含有的硼杂质利用所述弱碱性离子交换树脂吸附除去时，在所述氯化氢气体处理的初期将氯化氢气体浓度设定为0.1体积％～5体积％，在初期放热结束后将氯化氢浓度设定为比处理的初期浓度高的1～50体积％，进行所述弱碱性离子交换树脂的清洗处理。
2.如权利要求1所述的硅烷化合物或氯硅烷化合物的纯化方法，其中，将所述含有氯化氢的气体中的水分设定为1体积％以下。
3.如权利要求1或2所述的硅烷化合物或氯硅烷化合物的纯化方法，其中，所述含有氯化氢的气体为含有选自氢气、氮气、氦气、氩气中的一种以上气体的混合气体。
4.如权利要求1或2所述的硅烷化合物或氯硅烷化合物的纯化方法，其中，所述弱碱性离子交换树脂为具有叔胺作为活性基的弱碱性离子交换树脂。
5.一种多晶硅的制造方法，其中，使用利用权利要求1或2所述的方法进行了纯化的硅烷化合物或氯硅烷化合物作为硅原料。
6.一种弱碱性离子交换树脂的再生处理方法，其为用于吸附除去硼杂质的弱碱性离子交换树脂的再生处理方法，其中，将所述弱碱性离子交换树脂利用含有氯化氢的气体进行清洗处理而再生时，在所述氯化氢气体处理的初期将氯化氢气体浓度设定为0.1体积％～5体积％，在初期放热结束后将氯化氢浓度设定为比处理的初期浓度高的1～50体积％，进行所述弱碱性离子交换树脂的清洗处理。
7.如权利要求6所述的弱碱性离子交换树脂的再生处理方法，其中，将所述含有氯化氢的气体中的水分设定为1体积％以下。
8.如权利要求6或7所述的弱碱性离子交换树脂的再生处理方法，其中，所述含有氯化氢的气体为含有选自氢气、氮气、氦气、氩气中的一种以上气体的混合气体。
9.如权利要求6或7所述的弱碱性离子交换树脂的再生处理方法，其中，所述弱碱性离子交换树脂为具有叔胺作为活性基的弱碱性离子交换树脂。
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