[发明专利]HIPIMS溅射的方法和HIPIMS溅射系统

摘要

为了在靶材的使用寿命内并且在HIPIMS操作下控制溅射靶材（9）的操作，在靶材（9）的使用寿命内，与靶材（9）相关联的磁体结构的部分I相对于靶材（9）收缩，而磁体结构的第二部分II，如果会发生的话，相对于所述后侧（7）收缩较少。由此，部分I比部分II更靠近靶材（9）的周界，两者都围绕旋转轴线（A）偏心地旋转。

主权项

 一种HIPIM溅射涂覆基底的方法，包括：提供具有溅射表面和具有后表面的靶材；沿所述后表面提供磁体结构；使所述磁体结构围绕垂直于所述后表面的旋转轴线枢转或旋转；其中，所述磁体结构包括沿一对闭环布置的磁极，所述一对的所述闭环中的外部闭环完全围绕所述一对的所述闭环中的内部闭环，并且远离所述闭环中的所述内部闭环；朝向所述后侧并且沿所述一对的所述闭环中的一个布置的所述磁极相对于朝向所述后侧并且沿所述一对的所述闭环中的另一个布置的所述磁极具有相反的磁极性；其中，所述一对闭环被细分成第一部分和第二部分，由此所述一对闭环中的所述外部闭环被细分成所述第一部分中的第一外部部段和所述第二部分中的第二外部部段，并且由此所述一对闭环中的所述内部闭环被细分成所述第一部分中的第一内部部段和所述第二部分中的第二内部部段；在二者都相对于所述旋转轴线沿径向方向考虑的情况下，所述第一外部部段比所述第二外部部段距离所述旋转轴线更远；所述方法包括当所述靶材的HIPIMS操作时间增加时，可控制地增加沿所述第一外部部段和所述第一内部部段中的至少一个的至少主要数量的磁极到所述后侧的距离，超过增加所述第二外部部段和所述第二内部部段的至少主要数量的磁极到所述后侧的距离。