[发明专利]R-T-B系磁体用原料合金及其制造方法有效
| 申请号： | 201480019491.2 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN105121682B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 清水隆之 | 申请（专利权）人： | 株式会社三德 |
| 主分类号： | C22C38/00 | 分类号： | C22C38/00;B22F9/08;C22C33/02;H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种R‑T‑B系磁体用原料合金，该合金包含作为主相的R2T14B相和R被浓缩了的富R相，主相具有枝晶主轴和从该枝晶主轴分枝出的二次枝晶臂，通过使生成有二次枝晶臂的区域的体积率为2～60％，即使在降低重稀土的添加量的情况下，也能够在R‑T‑B系烧结磁体中确保优异的矫顽力。富R相的间隔优选为3.0μm以下、激冷晶体的体积率优选为1％以下。另外，二次枝晶臂的间隔优选为0.5～2.0μm、富R相的椭圆长短比优选为0.5以下。 | ||
| 搜索关键词： | 磁体 原料 合金 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种R‑T‑B系磁体用原料合金，其特征在于，所述R为包含Y的稀土元素之中的至少1种、所述T为以Fe作为必须的1种以上过渡元素，所述R‑T‑B系磁体用原料合金包含作为主相的R2T14B相和R被浓缩了的富R相，所述主相具有枝晶主轴和从该枝晶主轴分枝出的二次枝晶臂，生成有所述二次枝晶臂的区域的体积率为2～60％，所述富R相的间隔为3.0μm以下。
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