[发明专利]复合基板和功能元件有效
| 申请号： | 201480019026.9 | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105102695B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 岩井真;今井克宏;坂井正宏 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/208 | 分类号： | H01L21/208;H01L33/32;C30B29/38;C30B19/02;C30B25/20 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 日本国爱知县名*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 当在具备蓝宝石基板、以及在蓝宝石基板上通过结晶生长的氮化镓结晶层的复合基板中，在其上形成由13族元素的氮化物形成的功能层时，抑制功能层的偏差。复合基板(4)具备蓝宝石基板(1A)、以及在蓝宝石基板(1A)上设置的氮化镓结晶层(3)。复合基板(4)的翘曲度为，每5.08cm，+40μm以上、+80μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝宝石基板 复合基板 氮化镓结晶 功能层 氮化物形成 功能元件 结晶生长 翘曲度 族元素 | ||
【主权项】：
一种复合基板，其是具备蓝宝石基板、以及在所述蓝宝石基板上设置的氮化镓结晶层的复合基板，其特征在于，所述复合基板的翘曲度为，每5.08cm，+40μm以上、+80μm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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