[发明专利]多孔聚合物膜的制造方法在审

专利信息
申请号: 201480018259.7 申请日: 2014-03-26
公开(公告)号: CN105073855A 公开(公告)日: 2015-11-18
发明(设计)人: 古山了;村木勇三;长井阳三;网野一郎;百合庸介;汤山贵裕;石坂知久;石堀郁夫;吉田健一;前川康成;越川博;八卷徹也;浅野雅春 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: C08J7/00 分类号: C08J7/00;C08J7/12;C08J9/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 胡嵩麟;王海川
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 本公开的方法包括:工序(I),对聚合物膜(1)照射由在回旋加速器中加速后的离子(2)构成的离子束,从而形成经该离子束中的离子碰撞后的聚合物膜;和工序(II),对在工序(I)中形成的聚合物膜进行化学蚀刻,从而在聚合物膜中形成与离子碰撞的轨迹(3)对应的开口(4b)和/或通孔(4a)。在工序(I)中,在离子束的路径上的聚合物膜的上游和/或下游检测离子束的束电流值,并且基于检测出的束电流值控制离子束对聚合物膜的照射条件,使得离子对聚合物膜的照射密度为设定值。本公开的方法适合于多孔聚合物膜的工业生产。
搜索关键词: 多孔 聚合物 制造 方法
【主权项】:
一种多孔聚合物膜的制造方法,其包括:工序(I),对聚合物膜照射由在回旋加速器中加速后的离子构成的离子束,从而形成经所述离子束中的离子碰撞后的聚合物膜;和工序(II),对所述形成的聚合物膜进行化学蚀刻,从而在所述聚合物膜中形成与所述离子碰撞的轨迹对应的开口和/或通孔,在所述工序(I)中,在所述离子束的路径上的所述聚合物膜的上游和/或下游检测该离子束的束电流值,并且基于所述检测出的束电流值控制所述离子束对所述聚合物膜的照射条件,使得所述离子对所述聚合物膜的照射密度为设定值。
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