[发明专利]具有增强的感光度的光电传感器有效
| 申请号： | 201480015903.5 | 申请日： | 2014-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN105144698B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | D·科恩;S·费尔芩式特恩;E·拉里;G·叶海弗 | 申请（专利权）人： | 微软技术许可有限责任公司 |
| 主分类号： | H04N5/3728 | 分类号： | H04N5/3728;H04N5/372;H04N5/355;H01L27/146;H01L27/148;G01S7/486;G01S17/89 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 顾嘉运 |
| 地址： | 美国华*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于控制具有相邻感光像素的光电传感器的方法，在所述像素中，由在光电传感器上入射的光在像素的耗尽区中生成光电荷，所述方法包括对光电像素的栅电极施加电压以便所述像素之一的耗尽区延伸入并位于另一像素的耗尽区的一部分之下。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 感光度 光电 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种光电传感器，包括：第一和第二相邻的感光像素，每个像素包括：包括具有耗尽区的np结的光电二极管区域，在所述耗尽区中，响应于入射光生成光电荷载流子；累积并存储在所述光电二极管区域中生成的光电荷载流子的存储区域，所述存储区域包括具有耗尽区的np结；以及至少一个栅电极，通过所述栅电极可以施加电压以控制所述存储区域的耗尽区；以及控制器，所述控制器配置所述第一像素的所述至少一个栅电极的电压以扩大在所述第一像素中的存储区域的耗尽区，以便其延伸入所述第二像素的光电二极管区域并生成使得在所述第二像素的光电二极管区域中生成的光电荷漂移到并被存储在所述第二像素的存储区域中的电场。
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