[发明专利]光电转换元件在审
| 申请号： | 201480015122.6 | 申请日： | 2014-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN105190906A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 原田真臣;神川刚;辻埜和也 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/0747 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 戚传江;谢丽娜 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种通过被均匀地钝化来提高转换效率的光电转换元件。光电转换元件是将光转换成电的光电转换元件，具备在至少一个面形成有包括多个倾斜面(101a)的凹凸构造的硅基板(101)。在与夹着所述凹凸构造的凹部(TXb)地相邻的2个倾斜面(101a)相交的线垂直的剖面中，在将所述2个倾斜面(101a)中的一方的切线与所述凹部的最深部的切线相交的点(Pa)、和所述2个倾斜面(101a)中的另一方的切线与所述凹部的最深部的切线相交的点(Pb)之间的距离设为底部宽度(Lb)时，所述底部宽度(Lb)为20nm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 | ||
【主权项】：
一种光电转换元件，将光转换成电，其特征在于，具备至少在一个面形成有包括多个倾斜面的凹凸构造的硅基板，在与夹着所述凹凸构造的凹部且相邻的2个倾斜面相交的线垂直的剖面中，在将所述2个倾斜面中的一方的切线与所述凹部的最深部的切线相交的点、和所述2个倾斜面中的另一方的切线与所述凹部的最深部的切线相交的点之间的距离设为底部宽度时，所述底部宽度为20nm以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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