[发明专利]光电转换元件

权利要求书

1.一种光电转换元件，将光转换成电，其特征在于，

具备至少在一个面形成有包括多个倾斜面的凹凸构造的硅基板，

在与夹着所述凹凸构造的凹部且相邻的2个倾斜面相交的线垂直的剖面中，在将所述2个倾斜面中的一方的切线与所述凹部的最深部的切线相交的点、和所述2个倾斜面中的另一方的切线与所述凹部的最深部的切线相交的点之间的距离设为底部宽度时，

所述底部宽度为20nm以上。

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于，

所述底部宽度是100～600nm。

3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，其特征在于，

在所述硅基板的至少受光面侧形成有所述凹凸构造，

所述光电转换元件还具备：

第1非晶质本征半导体层，与所述硅基板的一个面相接而形成；

第1导电类型半导体层，形成在所述第1非晶质本征半导体层上，导电类型与所述硅基板不同；

第2非晶质本征半导体层，与所述硅基板的另一个面相接而形成；以及

第2导电类型半导体层，形成在所述第2非晶质本征半导体层上，导电类型与所述硅基板相同。

4.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，其特征在于，

在所述硅基板的至少受光面侧形成所述凹凸构造，

所述光电转换元件还具备：

第1非晶质本征半导体层，与所述硅基板的受光面相接而形成；

第2非晶质本征半导体层以及第3非晶质本征半导体层，与所述硅基板的另一个面相接而形成，并且配置在所述硅基板的面内方向上；

第1导电类型半导体层，形成在所述第2非晶质本征半导体层上，导电类型与所述硅基板不同；以及

第2导电类型半导体层，形成在所述第3非晶质本征半导体层上，导电类型与所述硅基板相同。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的光电转换元件，其特征在于，

所述凹凸构造的凸部的底面的一边的长度是0.6～20μm。