[发明专利]具有改进的折射率导引的半导体激光器有效
申请号: | 201480014690.4 | 申请日: | 2014-03-11 |
公开(公告)号: | CN105284021B | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | J·米勒;A·莱尔 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01S5/22 | 分类号: | H01S5/22;H01S5/20;H01S5/323;H01S5/02;H01S5/028 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 胡莉莉;张涛 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种包括主体(2)的半导体激光器(1)。在主体(2)上提供具有更窄宽度的条带(3)。提供用于生成光辐射的有源区(4)。主体(2)的到条带(3)的各侧的表面(9,10)和条带(3)的侧表面(13,14)被利用电绝缘保护层(11)覆盖。在条带(3)的上侧上提供导电层(12)作为接触。半导体激光器的特征在于至少在被限定的区段中腔体(15)被提供在条带(3)的侧表面(13,14)和保护层(11)之间。 | ||
搜索关键词: | 条带 半导体激光器 侧表面 电绝缘保护层 光辐射 折射率导引 保护层 导电层 中腔体 源区 覆盖 改进 | ||
【主权项】:
1.一种用于生产包括用于生成光辐射的有源区(4)的半导体激光器(1)的方法,半导体激光器(1)包括主体(2),其中,在主体(2)上提供具有更窄宽度的条带(3),其中条带(3)的侧表面(13,14)被提供有电绝缘保护层(11),其中在条带(3)的侧表面(13,14)和保护层(11)之间形成腔体(15),并且其中将导电层(12)应用于条带(3)的顶侧,其中利用牺牲层(19)覆盖条带(3)的顶侧,其中牺牲层(19)和条带(3)的侧表面(13,14)被提供有电绝缘保护层(11),其中牺牲层(19)和保护层具有不同的热膨胀系数,其中在随后加热处理期间,由于不同的热膨胀系数的原因,在条带(3)的侧表面(13,14)和保护层(11)之间形成腔体(15),其中从条带(3)的顶侧移除保护层(11)和牺牲层(19),并且其中随后在条带(3)的顶侧上应用导电层(12)。
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