[发明专利]用于加强气体物种混合的压紧装置有效
申请号: | 201480013736.0 | 申请日: | 2014-02-21 |
公开(公告)号: | CN105190834B | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 约翰·W·莱恩;贝林·达朗;拉马钱德拉·穆尔蒂·贡图瑞;麻里乌斯·格雷戈尔;巴斯旺·曼珠纳斯;普拉沙司·瓦苏戴瓦 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 用于混合气体的装置与系统包括耦接至第一导管而控制第一气体的流量的第一阀、耦接至第二导管而控制第二气体的流量的第二阀、控制阀的控制器,具有耦接至所述第一导管的第一气体输入、耦接至所述第二导管的第二气体输入、及输出开口的基本区段,形成于所述基本区段内的混合腔室,以及设于所述混合腔室内的内部区段,其中所述混合腔室耦接至所述第一气体输入与所述第二气体输入以接收输入气体,所述内部区段包括具有内部空间的主体、以及一或多个周边孔,所述一或多个周边孔形成贯穿所述主体而使所述混合腔室流体耦接至所述内部区段的所述内部空间;及气体出口,配置以使气体流经所述基本区段的输出开口。 | ||
搜索关键词: | 用于 加强 气体 物种 混合 压紧 装置 | ||
【主权项】:
一种压紧气体混合器,包括:基本区段,包括第一气体输入、第二气体输入、以及输出开口;混合腔室,具有形成于所述基本区段内的混合空间,其中所述混合腔室流体耦接至所述第一气体输入与所述第二气体输入以接收输入气体;及内部区段,设置在所述混合腔室内,所述内部区段包括:主体,具有内部空间;一或多个周边孔,形成贯穿所述主体而使所述混合腔室的所述混合空间流体耦接至所述内部区段的所述内部空间;及气体出口,配置以使气体流经所述基本区段的所述输出开口,其中所述一或多个周边孔形成为呈倾斜角度,且自在所述气体出口近侧的所述内部区段的周边延伸至封闭端近侧的所述内部区段的所述内部空间,所述封闭端与所述内部区段的所述气体出口相对。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造