[发明专利]混合存储器类型混合高速缓存有效
| 申请号： | 201480013145.3 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN105009095B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | X·董;J·徐 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/0846 | 分类号： | G06F12/0846;G06F12/0893;G11C11/00;G11C11/16;G11C13/00;G11C14/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 周敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 混合高速缓存包括静态随机存取存储器(SRAM)部分和电阻性随机存取存储器部分。混合高速缓存的高速缓存线被配置成包括SRAM宏和电阻性随机存取存储器宏两者。混合高速缓存被配置成使得在每个高速缓存访问循环中SRAM宏在电阻性随机存储器宏之前被访问。在SRAM宏被访问时，较慢的电阻性随机存取存储器达到数据访问就绪状态。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 存储器 类型 高速缓存 | ||
【主权项】：
一种混合高速缓存装置，包括：第一类型的存储器；第二类型的存储器；第一存储器排，其包括所述第一类型的存储器和所述第二类型的存储器；以及所述第一存储器排内的第一高速缓存线，其包括所述第一存储器排内的所述第一类型的存储器中的第一存储器位置以及所述第二类型的存储器中的第二存储器位置，所述第一高速缓存线被配置成用于在高速缓存访问操作期间在访问所述第一存储器排内的所述第二存储器位置之前访问所述第一存储器位置。
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