[发明专利]高纯度2-氟丁烷在审
| 申请号： | 201480012705.3 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN105008316A | 公开（公告）日： | 2015-10-28 |
| 发明（设计）人： | 杉本达也 | 申请（专利权）人： | 日本瑞翁株式会社 |
| 主分类号： | C07C19/08 | 分类号： | C07C19/08;H01L21/3065;C07C17/38;C07C17/383;C07C17/389 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈巍;刘力 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及高纯度2-氟丁烷，其特征在于，纯度为99.9体积%以上，丁烯类的含量为1000体积ppm以下，以及将该高纯度2-氟丁烷用作干蚀刻气体的方法。根据本发明，提供适合于作为半导体用的等离子体反应用气体的、高纯度的2-氟丁烷。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 丁烷 | ||
【主权项】：
高纯度2‑氟丁烷，其特征在于，纯度为99.9体积%以上，丁烯类的含量为1000体积ppm以下。
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