[发明专利]图像传感器中的电荷传输有效
申请号: | 201480011671.6 | 申请日: | 2014-02-18 |
公开(公告)号: | CN105229789B | 公开(公告)日: | 2018-08-07 |
发明(设计)人: | 李向利;范晓峰;温宗晋 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/3745;H04N5/355 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 陈华成 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了用于在图像传感器中传输电荷的装置和方法。图像传感器像素的一个实例可包括第一电荷存储节点和第二电荷存储节点。传输电路可耦接于所述第一电荷存储节点和所述第二电荷存储节点之间,并且所述传输电路可以具有邻近第一电荷存储节点并被配置为具有第一电势的第一区域。传输电路还可以具有邻近第二电荷存储节点并被配置为具有更高的第二电势的第二区域。输入节点可被配置为基于向所述输入节点提供的传输信号来控制所述第一电势和所述第二电势。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 中的 电荷 传输 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器像素,包括:光电二极管;第一电荷存储节点;在所述光电二极管和所述第一电荷存储节点之间的第一传输门,并且所述第一传输门被配置为将电荷从所述光电二极管传输到所述第一电荷存储节点;第二电荷存储节点;在所述第一电荷存储节点和所述第二电荷存储节点之间的第二传输门,并且所述第二传输门被配置为将电荷从所述第一电荷存储节点传输到所述第二电荷存储节点;第三电荷存储节点;以及在所述第二电荷存储节点和所述第三电荷存储节点之间的第三传输门,并且所述第三传输门被配置为将电荷从所述第二电荷存储节点传输到所述第三电荷存储节点;其中所述第二传输门包括在传输电路中包括的传输电路门,所述传输电路包括:第一区域,所述第一区域在所述传输电路门的邻近所述第一电荷存储节点的一部分之下并被配置为具有第一可变电势;以及第二区域,所述第二区域相对于所述第一区域侧向偏置,所述第二区域在所述传输电路门的剩余部分之下并被配置为具有第二可变电势,所述第二区域从所述第一区域向远处延伸到所述传输电路门之外并延伸到所述第二电荷存储节点;以及钉扎层,所述钉扎层在所述第二电荷存储节点之上并在所述第二区域的不在所述传输电路门之下的一部分之上,所述钉扎层和所述第二区域的不在所述传输电路门之下的所述一部分在所述传输电路门之下的所述第二区域和所述第二电荷存储节点之间形成虚拟势垒,其中所述传输电路门被配置为基于向所述传输电路门提供的传输信号来控制所述第一可变电势和所述第二可变电势。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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