[发明专利]用于OLED薄膜封装的含氟等离子体聚合的HMDSO有效
申请号: | 201480011308.4 | 申请日: | 2014-02-06 |
公开(公告)号: | CN105009319B | 公开(公告)日: | 2017-09-05 |
发明(设计)人: | J·J·陈 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了用于形成OLED器件的方法。将具有有机缓冲层夹在阻挡层之间的封装结构沉积在OLED结构上。所述缓冲层是利用含氟等离子体形成。随后,将所述第二阻挡层沉积在所述缓冲层上。另外,为了确保良好的粘附性,在所述缓冲层与第一阻挡层之间形成缓冲粘附层。最后,为了确保良好的透射率,将应力减少层沉积在所述缓冲层与所述第二阻挡层之间。 | ||
搜索关键词: | 用于 oled 薄膜 封装 等离子体 聚合 hmdso | ||
【主权项】:
一种用于在显示器件上形成封装结构的方法,所述方法包括以下步骤:将第一阻挡层沉积在基板具有显示器件设置于其上的区域上;将缓冲粘附层沉积在所述第一阻挡层上并与所述第一阻挡层直接物理地接触;利用含氟等离子体将缓冲层沉积在所述缓冲粘附层上并与所述缓冲粘附层直接物理地接触,其中在沉积所述缓冲层期间增加用于沉积所述缓冲层的一种或多种前驱物气体的流率;将应力减少层沉积在所述缓冲层上并与所述缓冲层直接物理地接触;以及将第二阻挡层沉积在所述应力减少层上并与所述应力减少层直接物理地接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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