[发明专利]以气相沉积来沉积的光刻胶及此光刻胶的制造与光刻系统有效
| 申请号： | 201480010168.9 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN105074572B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 蒂莫西·米凯尔松;蒂莫西·W·韦德曼;巴里·李·金;马耶德·A·福阿德;保罗·迪顿 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;赵静<国际申请>=PCT/US2 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种光刻胶气相沉积系统包含：真空腔室，真空腔室具有加热元件以及用于固持基板的冷却卡盘，真空腔室具有加热的入口；以及气相沉积系统，气相沉积系统连接至加热的入口，以使前驱物挥发进入真空腔室中，以在由冷却卡盘冷却的基板之上凝结光刻胶。沉积系统产生半导体晶片系统，半导体晶片系统包含：半导体晶片，以及在半导体晶片之上的气相沉积的光刻胶。需要半导体晶片系统的极紫外线光刻系统包含：极紫外线光源；镜，镜用于引导来自极紫外线光源的光；中间掩模台，中间掩模台用于使来自极紫外线光源的光成像；以及晶片台，晶片台用于放置具有气相沉积的光刻胶的半导体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 光刻 制造 系统 | ||
【主权项】：
1.一种极紫外线光刻系统，所述系统包括：/n极紫外线光源；/n镜，所述镜用于引导来自所述极紫外线光源的光；/n中间掩模台，所述中间掩模台用于使来自所述极紫外线光源的光成像在极紫外线掩模上；以及/n晶片台，所述晶片台用于放置涂布气相沉积的光刻胶的半导体晶片，以用于接收来自所述中间掩模台的光，所述气相沉积的光刻胶具有顶部和底部以及所述气相沉积的光刻胶的所述顶部与所述底部之间具有不同光刻胶成分，所述底部比所述顶部对来自在从7纳米至40纳米的波长范围内的EUV辐射的EUV光子有更高的吸收性。/n
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