[发明专利]以气相沉积来沉积的光刻胶及此光刻胶的制造与光刻系统

权利要求书

1.一种极紫外线光刻系统，所述系统包括：

极紫外线光源；

镜，所述镜用于引导来自所述极紫外线光源的光；

中间掩模台，所述中间掩模台用于使来自所述极紫外线光源的光成像在极紫外线掩模上；以及

晶片台，所述晶片台用于放置涂布气相沉积的光刻胶的半导体晶片，以用于接收来自所述中间掩模台的光，所述气相沉积的光刻胶具有顶部和底部以及所述气相沉积的光刻胶的所述顶部与所述底部之间具有不同光刻胶成分，所述底部比所述顶部对来自在从7纳米至40纳米的波长范围内的EUV辐射的EUV光子有更高的吸收性。

2.如权利要求1所述的系统，其中所述气相沉积的光刻胶为挥发性金属氧化物。

3.如权利要求2所述的系统，其中所述气相沉积的光刻胶为在所述半导体晶片之上的分子沉积物。

4.如权利要求1所述的系统，其中所述气相沉积的光刻胶包含配体。

5.如权利要求1所述的系统，其中所述气相沉积的光刻胶为在金属中心周围的配体。

6.如权利要求1所述的系统，其中所述气相沉积的光刻胶为与金属氧化物键合的配体。

7.一种半导体晶片系统，所述系统包括：

半导体晶片；以及

在所述半导体晶片之上的气相沉积的光刻胶，所述气相沉积的光刻胶具有顶部和底部以及所述气相沉积的光刻胶的所述顶部与所述底部之间具有不同光刻胶成分，所述底部比所述顶部对来自在从7纳米至40纳米的波长范围内的EUV辐射的EUV光子有更高的吸收性。

8.如权利要求7所述的半导体晶片系统，其中所述气相沉积的光刻胶为挥发性金属氧化物。

9.如权利要求7所述的半导体晶片系统，其中所述气相沉积的光刻胶为在所述半导体晶片之上的分子沉积物。

10.如权利要求7所述的半导体晶片系统，其中所述气相沉积的光刻胶包含配体。

11.如权利要求7所述的半导体晶片系统，其中所述气相沉积的光刻胶为在金属中心周围的配体。

12.如权利要求7所述的半导体晶片系统，其中所述气相沉积的光刻胶为与金属氧化物键合的配体。