[发明专利]窗口层上具有保护层的光伏器件及其制造方法有效
申请号: | 201480008060.6 | 申请日: | 2014-02-03 |
公开(公告)号: | CN105229801B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 吉斯·特里维迪;瑞克.鲍威尔;丹.米亚诺维奇;郭晶;赵志波;廖峰;奥乐·卡尔彭科;斯瑞尼瓦斯.杰尔瑞曼;林忠维 | 申请(专利权)人: | 第一太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/073 | 分类号: | H01L31/073;H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/065 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 刘灿强 |
地址: | 美国俄亥俄*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种光伏器件(100)以及形成该光伏器件的方法,所述光伏器件包括位于窗口层(112)与吸收层(116)之间的保护层(114),保护层在器件活化步骤过程中抑制窗口层溶入/互混到吸收层。 | ||
搜索关键词: | 窗口 具有 保护层 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光伏器件,包括:窗口层;吸收层;以及保护层,位于窗口层与吸收层之间,其中,所述保护层在器件加工过程中抑制窗口层互混到吸收层,其中,保护层包括锌氧硫化物、氧化硅、氧化钛、氧化钽、Cu2S、Cu2O和梯度CdSxTeyAz层(0<x<1,0<y<1,0<z<1)中的至少一种,其中,A为As、P或Se。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的