[发明专利]硅纳米粒子的连续制造方法及包含其的锂二次电池用负极活性物质有效
| 申请号： | 201480007244.0 | 申请日： | 2014-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN104968604B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 赵燃奭;姜京勋;徐镇锡;任泰昱 | 申请（专利权）人： | 株式会社KCC |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;H01M4/48;B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 苗堃,金世煜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的技术课题是为了使硅的体积变化引起的电极劣化(deterioration)现象最小化、改善电接触性、确保高容量及循环特性，提供制造硅纳米粒子的方法与利用根据其制造的纳米粒子的负极活性物质。为此，本发明提供一种硅纳米粒子制造方法，是用于连续制造硅纳米粒子的方法，其中，包括使硅烷气体与载气流入反应器内的步骤；在所述反应器中分解所述硅烷气体，得到硅纳米粒子的步骤；以及回收所述硅纳米粒子的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 粒子 连续 制造 方法 包含 二次 电池 负极 活性 物质 | ||
【主权项】：
一种硅纳米粒子连续制造方法，是用于连续制造硅纳米粒子的方法，其特征在于，包括：使硅烷气体与载气流入流化床反应器内的步骤，其中所述载气包括H2、N2、Ar、HCl或Cl2；在所述流化床反应器中分解所述硅烷气体，得到硅纳米粒子的步骤；以及回收所述硅纳米粒子的步骤；其中所述硅烷气体与载气的混合比例以摩尔比计为1∶1～1∶30。
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