[发明专利]使用动态验证电平对选择栅极晶体管和存储器单元进行编程

摘要

通过使用动态验证电压(Vv)来提高对选择栅极晶体管和存储器单元的编程准确度，该动态验证电压(Vv)在编程操作期间从初始电平(Vvinit)增大到最终电平(Vvmx)。快速编程晶体管在慢速编程晶体管之前被锁定以防止被编程，但是快速编程晶体管经历编程干扰，编程干扰使快速编程晶体管的阈值电压在编程操作结束时增大到与慢速编程晶体管相同的电平。为了将存储器单元编程至不同的目标数据状态，初始验证电平(Vvinit)和最终验证电平(Vvmx)之间的偏移可以对于每个数据状态不同。在一种方法中，目标数据状态越低，该偏移越大。动态验证电压(Vv)的增大可以随编程操作的每个随后的编程验证迭代而逐步地更小。该增大可以适应于编程进度而开始或者可以在预定编程验证迭代中开始。

主权项

1.一种用于对存储器设备中的晶体管进行编程的方法，包括：进行多个编程验证迭代(PV1至PV15)中的每个编程验证迭代，所述多个编程验证迭代包括针对在编程操作中待被编程的晶体管(211至219，230，240，250)的集合的编程验证迭代，每个晶体管最初具有指示所述晶体管待被编程的编程状态，进行每个编程验证迭代包括：向所述晶体管的集合施加编程脉冲(PP1至PP15)，确定具有所述编程状态的所述晶体管中的至少一些晶体管的阈值电压是否超过锁定验证电压(Vva_lo，Vvb_lo，Vvc_lo)，以及针对其阈值电压被确定为超过所述锁定验证电压的晶体管中的每个晶体管，在所述编程操作的剩余部分中将所述编程状态改变成锁定状态，在针对所述晶体管的集合的所述编程验证迭代中的数个编程验证迭代(PV4至PV7，PV7至PV10，PV10至PV13)中，所述锁定验证电压被阶跃式升高。