[发明专利]透明导电性薄膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201480005117.7 | 申请日： | 2014-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN104937676B | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 佐佐和明;山本祐辅;待永广宣 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;B32B7/02;B32B9/00;B32B15/08;C23C14/08;C23C14/34;C23C14/58;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的透明导电性薄膜在有机高分子薄膜基材上的至少一个面具有透明导电膜，前述透明导电膜是{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(％)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的结晶质膜，膜厚为10nm～40nm的范围，电阻率值为1.3×10‑4～2.8×10‑4Ω·cm，并且在(222)面和(440)面具有X射线衍射峰的主峰，(440)面的峰的强度(I440)与(222)面的峰的强度(I222)的峰强度比(I440/I222)小于0.2。本发明的透明导电性薄膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且薄膜的结晶质膜构成。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种透明导电性薄膜，其特征在于，其为在有机高分子薄膜基材上的至少一个面具有透明导电膜的透明导电性薄膜，所述透明导电膜是{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(％)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的结晶质膜，所述透明导电膜的膜厚为10nm～40nm的范围，所述透明导电膜的电阻率值为1.3×10‑4～2.8×10‑4Ω·cm，并且，在(222)面和(440)面具有X射线衍射峰的主峰，(440)面的峰的强度(I440)与(222)面的峰的强度(I222)的峰强度比(I440/I222)为0.19以下。
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