[发明专利]带有融合金属纳米线的透明导电电极、它们的结构设计及其制造方法有效
| 申请号： | 201480000275.3 | 申请日： | 2014-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN104145314B | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 潘克菲 | 申请（专利权）人： | 苏州诺菲纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14;B82Y20/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215028 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种具有融合金属纳米线的透明导电电极及其制造方法。所述融合纳米线的接合点不是通过使用压力按压所述金属纳米线而形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 融合 金属 纳米 透明 导电 电极 它们 结构设计 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种导电电极的制造方法，包括如下步骤：供一个基板；以及在所述基板上形成一个包含金属纳米线网络的基础单层，其中所述基础单层包括在相邻的金属纳米线之间通过液相烧结形成若干融合金属纳米线接合点的步骤;液相烧结过程包括先将金属纳米线网络放置在酸性环境中将 一些金属元素被转换为盐并溶解的步骤、再将金属纳米线网络放置在碱性环境中将部分溶解的金属盐沉淀出来以形成金属粉末的步骤，在若干金属纳米线接合点处，任意纳米线的至少一部分被融合到其他纳米线中，所述接合点的高度值等于或大于单个纳米线的直径，但是小于单个纳米线直径之和。
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