[实用新型]抗瞬态冲击的漏电保护集成电路内部偏置电路有效
| 申请号： | 201420860460.7 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN204349411U | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 王开 | 申请（专利权）人： | 无锡展芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H1/04 | 分类号： | H02H1/04 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 张欢勇 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市无锡新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及集成电路设计领域，具体为一种抗瞬态冲击的漏电保护集成电路内部偏置电路，包括供电电路和基准偏置电路两部分，所述供电电路是由稳压二极管和高压瞬态泻放回路组成，电路中电压逐渐增大，当达到VD1+VD2+VD3的串联击穿电压时，电压继续增大，则功率管VN2开始导通，多余的电流将通过此功率管泻放，从而增强了电路抗冲击能力；基准偏置电路是由一个恒流器件及VN4、VN5、VN3、R4组成的电流电源共同组成。 | ||
| 搜索关键词： | 瞬态 冲击 漏电 保护 集成电路 内部 偏置 电路 | ||
【主权项】：
一种抗瞬态冲击的漏电保护集成电路内部偏置电路，包括供电电路和基准偏置电路两部分，所述供电电路是由稳压二极管和高压瞬态泻放回路组成，电路中电压逐渐增大，当达到VD1+VD2+VD3的串联击穿电压时，电压继续增大，则功率管VN2开始导通，多余的电流将通过此功率管泻放，从而增强了电路抗冲击能力；基准偏置电路是由一个恒流器件及VN4、VN5、VN3、R4组成的电流电源共同组成。
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