[实用新型]一种图像传感器微透镜结构有效
| 申请号： | 201420831425.2 | 申请日： | 2014-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN204271082U | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 郭同辉;旷章曲 | 申请（专利权）人： | 北京思比科微电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种图像传感器微透镜结构，微透镜设置在像素的感光元器件上方，其材料为彩色滤光片材料，并且微透镜表面覆盖有保护层。微透镜和彩色滤光片两部分合为一体，相对现有技术中的图像传感器结构，本实用新型节省了制作工艺步骤和工艺材料，进而降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图像传感器 透镜 结构 | ||
【主权项】：
一种图像传感器的微透镜结构，微透镜设置在像素的感光元器件上方，其特征在于，所述微透镜的材料为彩色滤光片材料，所述微透镜的表面覆盖有保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
