[实用新型]一种与ZnO薄膜高效匹配的LED芯片结构有效
| 申请号： | 201420797017.X | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN204289496U | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 李方芳;郝锐;叶国光;许德裕;王波;易翰翔;刘洋;吴光芬 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种与ZnO薄膜高效匹配的LED芯片结构，包括衬底和在衬底上形成的外延层，其特征在于：所述的外延层上包括接触层和形成于接触层上的ZnO透明导电层，所述的接触层由本征AlxInyGa1-x-yN、P型AlxInyGa1-x-yN和N型AlxInyGa1-x-yN的一种材料层组成或由两种或三种材料层组成超晶格层，同时也介绍了该接触层的制作方法，其含量通过改变In源流量、Al源流量、生长温度和生长压力等参数来实现。本实用新型所提供的ZnO-LED芯片结构，改善了ZnO做透明导电层时面临的电压高、ESD差和漏电大等问题，具有接触性好、电压低、吸光少的优点，从而有效提升了LED器件的光提取率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 薄膜 高效 匹配 led 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种与ZnO薄膜高效匹配的LED芯片结构，包括衬底和在衬底上形成的外延层，其特征在于：所述的外延层上包括接触层和形成于接触层上的ZnO透明导电层，所述的接触层由本征AlxInyGa1‑x‑yN、P型AlxInyGa1‑x‑yN和N型AlxInyGa1‑x‑yN的一种材料层组成或由两种或三种材料层组成超晶格层，其中0<x<1，0<y<1，且0<x+y<1。
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