[实用新型]一种抑制背栅效应的砷化镓基赝配高电子迁移率晶体管材料结构

摘要

一种抑制背栅效应的砷化镓基赝配高电子迁移率晶体管材料结构，该材料结构由在半绝缘GaAs衬底上依次生长的低温GaAs缓冲层、常温GaAs缓冲层、GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层、下AlGaAs势垒层、下平面掺杂层、下AlGaAs空间隔离层、InGaAs沟道层、上AlGaAs空间隔离层、上平面掺杂层、上AlGaAs势垒层、第二InGaP阻断层、GaAs次帽层、第一InGaP阻断层、重掺杂GaAs帽层组成。该材料结构在材料生长层面就消除了背栅效应，为后期的芯片电路设计和器件制造工艺提供了便利，同时也可以极大地降低材料生长成本。

主权项

一种抑制背栅效应的砷化镓基赝配高电子迁移率晶体管材料结构，该结构包括半绝缘GaAs衬底(1)、LT‑GaAs缓冲层(2)、常温GaAs缓冲层(3)、GaAs/AlGaAs超晶格(SL)缓冲层(4)、下AlGaAs势垒层(5)、下平面掺杂层(6)、下AlGaAs空间隔离层(7)、InGaAs沟道层(8)、上AlGaAs空间隔离层(9)、上平面掺杂层(10)、上AlGaAs势垒层(11)、第二InGaP阻断层(12)、GaAs次帽层(13)、第一InGaP阻断层(14)、重掺杂GaAs帽层(15)；具体而言，在半绝缘GaAs衬底(1)上依次生长LT‑GaAs缓冲层(2)、常温GaAs缓冲层(3)、GaAs/AlGaAs超晶格(SL)缓冲层(4)、下AlGaAs势垒层(5)、下平面掺杂层(6)、下AlGaAs空间隔离层(7)、InGaAs沟道层(8)、上AlGaAs空间隔离层(9)、上平面掺杂层(10)、上AlGaAs势垒层(11)、第二InGaP阻断层(12)、GaAs次帽层(13)、第一InGaP阻断层(14)、重掺杂GaAs帽层(15)。