[实用新型]一种等离子体刻蚀设备有效

专利信息
申请号: 201420734910.8 申请日: 2014-11-27
公开(公告)号: CN204216005U 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 邹帅;王栩生 申请(专利权)人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67
代理公司: 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 代理人: 陆金星
地址: 215129 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种等离子体刻蚀设备,包括机台支架、设于机台支架上的传动系统,以及抽气系统和等离子体源;机台支架上按传动系统行进方向依次设有装载缓冲腔室、刻蚀去损伤层工艺腔室、制绒工艺腔室和卸载缓冲腔室;各个腔室之间通过阀门连通;刻蚀去损伤层工艺腔室内设有等离子体源;制绒工艺腔室内设有反应性等离子体源。本实用新型设计了2个工艺腔体,利用等离子干法刻蚀实现硅片表面的线切割损伤层去除,该步骤与RIE制绒在同一台等离子体设备上完成,从而减少工艺步骤,同时也减少了化学品的使用量,大大降低了企业的运营成本。
搜索关键词: 一种 等离子体 刻蚀 设备
【主权项】:
一种等离子体刻蚀设备,包括机台支架(1)、设于机台支架上的传动系统,以及抽气系统(12)和等离子体源;其特征在于:机台支架上按传动系统行进方向依次设有装载缓冲腔室(5)、刻蚀去损伤层工艺腔室(6)、制绒工艺腔室(7)和卸载缓冲腔室(8);各个腔室之间通过阀门(11)连通;刻蚀去损伤层工艺腔室内设有等离子体源(9);制绒工艺腔室内设有反应性等离子体源(10)。
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