[实用新型]近紫外光发射装置有效
| 申请号： | 201420631593.7 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN204179101U | 公开（公告）日： | 2015-02-25 |
| 发明（设计）人： | 韩昌锡;金华睦;崔孝植;黄晶焕;朴起延 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰;龚振宇 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种近紫外光发射装置。该光发射装置包括n型接触层、p型接触层、设置在所述n型接触层和所述p型接触层之间的多重量子阱结构的活性区域、和设置在所述n型接触层和所述活性区域之间的至少一个电子阻挡层。n型接触层和p型接触层的每一个包括AlInGaN或AlGaN层，且电子阻挡层由AlInGaN或AlGaN形成。另外，电子阻挡层包括比邻接的层更多的Al，以阻挡电子流入活性区域。因此，电子迁移率被降低，通过此提高了活性区域中电子和空穴的复合率。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外光 发射 装置 | ||
【主权项】：
一种近紫外光发射装置，其特征在于，包括： n型接触层，包括AlGaN层或AlInGaN层； p型接触层，包括AlGaN层或AlInGaN层； 设置在所述n型接触层和所述p型接触层之间的多重量子阱结构的活性区域；和 设置在所述n型接触层和所述活性区域之间的至少一个电子阻挡层， 其中，多重量子阱结构的活性区域包括势垒层和阱层，势垒层包括第一势垒层，其设置在最接近n型接触层处。
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