[实用新型]一种大电流二极管钝化台面结构有效
| 申请号： | 201420569455.0 | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN204130549U | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 王嘉蓉 | 申请（专利权）人： | 西安卫光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 蔡和平 |
| 地址： | 710065 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种大电流二极管钝化台面结构，包括N型硅材料层，所述N型硅材料层下方为高浓度N型杂质掺杂层，其上方为高浓度P型杂质掺杂层，在高浓度N型杂质掺杂层和高浓度P型杂质掺杂层的外层为多层金属化层，其中，在高浓度P型杂质掺杂层上设有延伸至N型硅材料层的玻璃钝化槽。通过改大电流二极管台面聚酰亚胺钝化为玻璃钝化，解决了大管芯面积大电流二极管的高温工作稳定问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流 二极管 钝化 台面 结构 | ||
【主权项】：
一种大电流二极管钝化台面结构，包括N型硅材料层(11)，其特征在于：所述N型硅材料层(11)下方为高浓度N型杂质掺杂层(12)，其上方为高浓度P型杂质掺杂层(13)，在高浓度N型杂质掺杂层(12)和高浓度P型杂质掺杂层(13)的外层为多层金属化层(15)，其中，在高浓度P型杂质掺杂层(13)上设有一对对称分布且延伸至N型硅材料层(11)的玻璃钝化槽(14)。
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