[实用新型]一种小面积低功耗高速电流比较器有效

专利信息
申请号: 201420568048.8 申请日: 2014-09-29
公开(公告)号: CN204089754U 公开(公告)日: 2015-01-07
发明(设计)人: 程艳;刘小舟;马让奎;张蔚;李波;樊成双 申请(专利权)人: 陕西宝成航空仪表有限责任公司
主分类号: H03K5/24 分类号: H03K5/24
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 宋秀珍
地址: 721006*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 提供一种小面积低功耗高速电流比较器,晶体管M1、M2、M3和M4组成提高输出阻抗和镜像电流精度的共源共栅电流镜结构,其中晶体管M2和M4的栅极和漏极连接在一起形成二极管连接方式,晶体管M5和M6组成电流镜结构,其中晶体管M5的栅极和漏极连接在一起形成二极管连接方式,再连接到M6的栅极,将输入电流Iin镜像到由晶体管M1、M3和晶体管M6组成的电流支路,晶体管M1的漏极和M3的源极相连,晶体管M3的漏极和晶体管M6的漏极相连,同时,阈值电流Ith也被镜像到由晶体管M1、M3和晶体管M6组成的电流支路。本实用新型静态电流为输入电流和阈值电流之和,无需消耗额外电流,功耗较低。
搜索关键词: 一种 面积 功耗 高速 电流 比较
【主权项】:
一种小面积低功耗高速电流比较器,其特征在于:NMOS晶体管M1、M2、M3和M4组成提高输出阻抗和镜像电流精度的共源共栅电流镜结构,其中NMOS晶体管M2和M4的栅极和漏极连接在一起形成二极管连接方式,PMOS晶体管M5和M6组成电流镜结构,其中PMOS晶体管M5的栅极和漏极连接在一起形成二极管连接方式,再连接到M6的栅极,将输入电流Iin镜像到由NMOS晶体管M1、M3和PMOS晶体管M6组成的电流支路,NMOS晶体管M1的漏极和M3的源极相连,NMOS晶体管M3的漏极和PMOS晶体管M6的漏极相连,同时,阈值电流Ith也被镜像到由NMOS晶体管M1、M3和PMOS晶体管M6组成的电流支路。
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