[实用新型]发光二极管和发光二极管模块有效
| 申请号： | 201420551907.2 | 申请日： | 2014-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN204167351U | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡钟炫;卢元英;李俊燮;姜珉佑;张锺敏;金贤儿;裴善敏;徐大雄 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种发光二极管和一种发光二极管模块。发光二极管包括：第一导电型半导体层；台阶，设置在第一导电型半导体层上，并包括活性层和第二导电型半导体层；第一欧姆接触结构，与第一导电型半导体层接触；第二欧姆接触结构，与在台阶上的第二导电型半导体层接触；下绝缘层，覆盖台阶和第一导电型半导体层，并具有暴露第一欧姆接触结构的第一开口部分和暴露第二欧姆接触结构的第二开口部分；以及电流分布层，连接到通过下绝缘层的第一开口部分而暴露的第一欧姆接触结构，并具有暴露第二开口部分的第三开口部分。根据本实用新型，第一欧姆接触结构与电流分布层分开地形成，拓宽电流分布层的金属材料的选择范围，从而可以改善电流分布层的光反射率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 模块 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，所述发光二极管包括： 第一导电型半导体层； 台阶，设置在第一导电型半导体层上，并且包括活性层和第二导电型半导体层； 第一欧姆接触结构，与第一导电型半导体层接触； 第二欧姆接触结构，与在台阶上的第二导电型半导体层接触； 下绝缘层，覆盖台阶和第一导电型半导体层，并且具有暴露第一欧姆接触结构的第一开口部分和暴露第二欧姆接触结构的第二开口部分；以及 电流分布层，连接到通过下绝缘层的第一开口部分而暴露的第一欧姆接触结构，并且具有暴露第二开口部分的第三开口部分。
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