[实用新型]发光装置有效
申请号: | 201420551896.8 | 申请日: | 2014-09-24 |
公开(公告)号: | CN204067362U | 公开(公告)日: | 2014-12-31 |
发明(设计)人: | 下川一生;冈田康秀;松本克久;松叶庆晓;別田惣彦 | 申请(专利权)人: | 东芝照明技术株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;F21S2/00 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 温旭;郝传鑫 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种提高了均匀性的发光装置。根据实施方式,发光装置包括:安装区域、多个半导体发光元件、波长转换层。所述安装区域包括中央部和所述中央部的外侧的外侧部。所述多个半导体发光元件设置在所述安装区域上。所述波长转换层覆盖所述多个半导体发光元件且转换从所述多个半导体发光元件放射出的光的波长。所述多个半导体发光元件中的相邻的两个所述半导体发光元件之间的第1区域中的所述波长转换层的上表面和所述安装区域之间的第1距离在所述外侧部比所述中央部长。 | ||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
【主权项】:
一种发光装置,其特征在于,具备:包括中央部和位于所述中央部的外侧的外侧部的安装区域;设置在所述安装区域上的多个半导体发光元件;覆盖所述多个半导体发光元件,并且转换从所述多个半导体发光元件放射出的光的波长的波长转换层,所述多个半导体发光元件中的相邻的两个所述半导体发光元件之间的第1区域中的所述波长转换层的上表面和所述安装区域之间的第1距离,在所述外侧部大于所述中央部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的