[实用新型]用于再熔焊料沉积物的装置有效
申请号: | 201420503101.6 | 申请日: | 2014-09-02 |
公开(公告)号: | CN204088280U | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 加西姆·阿兹达什;S·塔布里兹 | 申请(专利权)人: | 派克泰克封装技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 一种用于再熔焊料沉积物的装置,所述焊料沉积物配置于晶圆的端子面上,其特征在于,所述装置包括:晶圆匣盒,其具有上下叠置地配置的晶圆接收件,用于在水平定向上接收晶圆;炉,其具有用于接收晶圆的炉室;水平输送装置,其用于从所述晶圆匣盒移除晶圆,在水平输送平面中朝向所述炉输送所述晶圆,并且将所述晶圆配置在所述炉室中;以及竖直输送装置,其用于将所述晶圆接收件配置于所述水平输送装置的所述输送平面中。所述装置允许基于待处理的晶圆在晶圆匣盒中的配置的批量操作也可以用于配置在晶圆的端子面上的焊料沉积物的再熔。 | ||
搜索关键词: | 用于 熔焊 沉积物 装置 | ||
【主权项】:
一种用于再熔焊料沉积物的装置,所述焊料沉积物配置于晶圆(40)的端子面上,其特征在于,所述装置包括:‑晶圆匣盒(15),其具有上下叠置地配置的晶圆接收件(24‑34),用于在水平定向上接收晶圆(40);‑炉(16),其具有用于接收晶圆(40)的炉室(64);‑水平输送装置(17),其用于从所述晶圆匣盒(15)移除晶圆(40),在水平输送平面(55)中朝向所述炉(16)输送所述晶圆(40),并且将所述晶圆(40)配置在所述炉室(64)中;以及‑竖直输送装置(18),其用于将所述晶圆接收件(24‑34)配置于所述水平输送装置(17)的所述输送平面(55)中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造