[实用新型]开关电路有效
| 申请号： | 201420447399.3 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN204013456U | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 王成云;张昱;谢永斌 | 申请（专利权）人： | 台达电子电源(东莞)有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 523308*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种开关电路，包括第一MOSFET和用于控制第一MOSFET导通和截止的控制电路。第一MOSFET为P沟道型MOSFET；控制电路包括第一控制回路和第二控制回路；第一控制回路与第一MOSFET的栅极连接，用于控制第一MOSFET的栅极电平；第二控制回路连接在第一MOSFET的栅极与源极之间，用于调节第一MOSFET的漏极电压的上升时间和下降时间。本实用新型的开关电路不需要从绕组次级引出参考电压，因此电路体积小、适用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 开关电路 | ||
【主权项】：
一种开关电路，包括第一MOSFET和用于控制所述第一MOSFET导通和截止的控制电路，其特征在于，所述第一MOSFET为P沟道型MOSFET；所述控制电路包括第一控制回路和第二控制回路；所述第一控制回路与所述第一MOSFET的栅极连接，用于控制所述第一MOSFET的栅极电平；所述第二控制回路连接在所述第一MOSFET的栅极与源极之间，用于调节所述第一MOSFET的漏极电压的上升时间和下降时间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台达电子电源(东莞)有限公司;，未经台达电子电源(东莞)有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420447399.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型低电压分频器
- 下一篇：光伏接线盒
