[实用新型]一种具有异质埋层的RF LDMOS器件

摘要

本实用新型公开了一种具有异质埋层的RF LDMOS器件，本实用新型在传统的器件结构基础上，在高掺杂衬底和外延层之间加入异质埋层，该异质埋层与高掺杂衬底和外延层具有相反的掺杂类型，源端金属引线与高掺杂衬底之间通过导电沟槽相连接，导电沟槽穿过异质埋层与高掺杂衬底相接触。本实用新型的RF LDMOS器件由于异质埋层对高掺杂衬底和外延层的耗尽作用，降低了管芯的损耗，是管芯能方便地与无源元件集成，有助于降低封装管内匹配电路的难度，同时芯片可进一步减薄，改善散热性能。

主权项

一种具有异质埋层的RF LDMOS器件，包括RF LDMOS基本结构（1），所述RF LDMOS基本结构（1）包括最下层的重掺杂衬底（2）、设于重掺杂衬底（2）上的外延层（3）以及设于外延层（3）上方的栅（15），所述的外延层（3）内设置有重掺杂源区（8）、重掺杂漏区（10），所述的重掺杂源区（8）和重掺杂漏区（10）分别位于栅（15）的两侧，在所述的外延层（3）内位于所述的重掺杂源区（8）和重掺杂漏区（10）之间设有沟道区（6）和漏漂移区（9），所述的漏漂移区（9）与重掺杂漏区（10）相接触，所述的重掺杂源区（8）在一侧与沟道区（6）相接触，在另一侧与重掺杂区（7）相接触，所述的沟道区（6）下方与阱区（5）相接触，所述的栅（15）被氧化层（12）包围，其顶部设有场板（11），所述的重掺杂源区（8）和重掺杂漏区（10）上方两侧分别设有源端金属引线（14）和漏端金属引线（13），所述的源端金属引线与氧化层（12）、重掺杂源区（8）、重掺杂区（7）和导电沟槽（4）相接触，所述的漏端金属引线与氧化层（12）和重掺杂漏区（10）相接触，所述的导电沟槽（4）为连接源端金属引线（14）和重掺杂衬底（2）的导电通道，所述的导电沟槽（4）与源端金属引线（14）、重掺杂区（7）、沟道区（6）、阱区（5）、外延层（3）和重掺杂衬底（2）相接触，其特征在于，所述的重掺杂衬底（2）与外延层（3）之间设有异质埋层（16）。