[实用新型]一种MEMS气体传感器有效
| 申请号： | 201420401036.6 | 申请日： | 2014-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN204129000U | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 沈方平;张珽;祁明锋;刘瑞;丁海燕;谷文 | 申请（专利权）人： | 苏州能斯达电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/14 | 分类号： | G01N27/14;B81B7/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 215123 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及气体检测技术领域，公开了一种MEMS气体传感器，包括单晶硅衬底；多孔硅层，形成于单晶硅衬底的上表面且具有一定深度，多孔硅层的上表面及孔壁表面形成有二氧化硅薄膜，且多孔硅层与所述单晶硅衬底的上表面平齐；下绝缘层，覆盖多孔硅层及所述单晶硅衬底的上表面；以及设置于下绝缘层上方的加热层、上绝缘层及气体敏感层。本实用新型的多孔硅层可以稳定地支撑下绝缘层薄膜及其上的其他气体传感器元件，避免传感器受力不均匀导致的变形破裂及在高温工作时下绝缘层变形翘曲导致的加热层脱落。同时，所述多孔硅层的孔壁表面覆有二氧化硅薄膜，可以起到更好的保温隔热效果，降低功耗，提高气体传感器的探测灵敏度和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 气体 传感器 | ||
【主权项】：
一种MEMS气体传感器，其特征在于，包括： 单晶硅衬底(1)； 多孔硅层(2)，形成于所述单晶硅衬底(1)的上表面且具有一定深度，所述多孔硅层(2)的上表面及孔壁表面形成有二氧化硅薄膜(21)，且所述多孔硅层(2)与所述单晶硅衬底(1)的上表面平齐； 下绝缘层(3)，覆盖所述多孔硅层(2)及所述单晶硅衬底(1)的上表面； 加热层(4)，设置于所述下绝缘层(3)的上表面，且所述加热层(4)位于所述多孔硅层(2)的正上方区域内； 上绝缘层(5)，覆盖所述加热层(4)的上表面； 气体敏感层(9)，设置于所述上绝缘层(5)的上表面，且所述气体敏感层(9)位于所述加热层(4)的正上方区域内。
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