[实用新型]一种带有热电分离结构的圆片级LED的封装结构

摘要

本实用新型公开了一种带有热电分离结构的圆片级LED的封装结构，属于半导体封装技术领域。其在硅基本体（1）的正面设置下凹的型腔（12），LED芯片（2）通过金属柱（22）倒装于型腔（12）的底部，硅基本体（1）的背面设置起导电作用的下层再布线金属层Ⅰ（321）和下层再布线金属层Ⅱ（322）、起散热作用的下层再布线金属层Ⅲ（323），芯片电极（21）经硅通孔（11）与下层再布线金属层Ⅰ（321）和下层再布线金属层Ⅱ（322）实现电气连通，下层再布线金属层Ⅲ（323）设置于LED芯片（2）的正下方。本实用新型通过设计有利于LED芯片散热的倒装封装基板和热电分离结构，提升了LED芯片到封装体外引脚的散热性能，显著降低了封装结构的热阻。

主权项

一种带有热电分离结构的圆片级LED的封装结构，其包括硅基本体（1）、带有若干个芯片电极（21）的LED芯片（2）和填充物Ⅱ（52），所述硅基本体（1）的上表面设有下凹的型腔（12），所述型腔（12）的底部表面设有绝缘层Ⅰ（13），所述LED芯片（2）倒装于型腔（12）的底部，所述填充物Ⅱ（52）填充型腔（12），其特征在于：所述绝缘层Ⅰ（13）的表面设有选择性不连续排布的上层再布线金属反射层Ⅰ（311）和上层再布线金属反射层Ⅱ（312），所述上层再布线金属反射层Ⅰ（311）和上层再布线金属反射层Ⅱ（312）的表面设置金属柱（22），所述LED芯片（2）的芯片电极（21）通过金属柱（22）分别与上层再布线金属反射层Ⅰ（311）和上层再布线金属反射层Ⅱ（312）连接，所述上层再布线金属反射层Ⅰ（311）与上层再布线金属反射层Ⅱ（312）于相邻的所述芯片电极（21）之间断开，所述型腔（12）的下方设置有若干个硅通孔（11），所述硅通孔（11）设置于LED芯片（2）的垂直区域之外，且其上端口不大于其下端口，所述硅通孔（11）的内壁和硅基本体（1）的下表面设置绝缘层Ⅱ（14），所述绝缘层Ⅱ（14）于硅通孔（11）的顶部形成开口（15），所述开口（15）向上贯穿绝缘层Ⅰ（13），且露出上层再布线金属反射层Ⅰ（311）和上层再布线金属反射层Ⅱ（312）的下表面，所述绝缘层Ⅱ（14）的表面设置不连续排布的下层再布线金属层Ⅰ（321）、下层再布线金属层Ⅱ（322）、下层再布线金属层Ⅲ（323），所述下层再布线金属层Ⅰ（321）、下层再布线金属层Ⅱ（322）一端覆盖硅通孔（11），并通过开口（15）分别与上层再布线金属反射层Ⅰ（311）、上层再布线金属反射层Ⅱ（312）对应连接，其另一端形成输入/输出端（3211、3221）， 所述下层再布线金属层Ⅲ（323）位于LED芯片（2）的正下方，且与下层再布线金属层Ⅰ（321）、下层再布线金属层Ⅱ（322）隔离。