[实用新型]一种三氯氢硅合成炉有效
| 申请号： | 201420324903.0 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN203922739U | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 罗周;刘汉元;李斌;甘居富 | 申请（专利权）人： | 四川永祥多晶硅有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 冉鹏程 |
| 地址： | 614899 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种三氯氢硅合成炉，包括反应段、气体分布板和下封头，下封头连接在反应段上，气体分布板连接在下封头上，所述气体分布板上设置有喷嘴，喷嘴位于下封头内。该合成炉改变了喷嘴的安装位置，消除了喷嘴的喷气死区，使得氯化氢气体与所有硅粉进行反应，生成三氯氢硅，提高硅粉利用率，同时还能避免由于硅粉的累积造成的塌炉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三氯氢硅 合成 | ||
【主权项】：
一种三氯氢硅合成炉，包括反应段、气体分布板和下封头，下封头连接在反应段上，气体分布板连接在下封头上，其特征在于：所述气体分布板上设置有喷嘴，喷嘴位于下封头内。
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