[实用新型]一种三氯氢硅合成炉有效
| 申请号： | 201420324903.0 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN203922739U | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 罗周;刘汉元;李斌;甘居富 | 申请（专利权）人： | 四川永祥多晶硅有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 冉鹏程 |
| 地址： | 614899 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三氯氢硅 合成 | ||
【权利要求书】：
1.一种三氯氢硅合成炉，包括反应段、气体分布板和下封头，下封头连接在反应段上，气体分布板连接在下封头上，其特征在于：所述气体分布板上设置有喷嘴，喷嘴位于下封头内。
2.根据权利要求书1所述的一种三氯氢硅合成炉，其特征在于：所述反应段的上端直径大于下端直径，下封头连接在反应段的下端上，气体分布板的直径与下端直径相等。
3.根据权利要求书1或2所述的一种三氯氢硅合成炉，其特征在于：所述气体分布板上设置有多个等径螺孔，喷嘴通过螺纹连接在螺孔上。
4.根据权利要求书1所述的一种三氯氢硅合成炉，其特征在于：所述喷嘴中心设置有通气孔，通气孔为阶梯孔，通气孔的进气口口径小于出气口口径，出气口与螺孔连通。
5.根据权利要求书1、2或4所述的一种三氯氢硅合成炉，其特征在于：所述下封头用法兰连接在反应段上，气体分布板连接在法兰上，气体分布板与法兰之间设置有石棉垫片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川永祥多晶硅有限公司，未经四川永祥多晶硅有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420324903.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种热解重镁水制取轻质碳酸镁的装置
- 下一篇：一种灌装机用称重转台
