[实用新型]能提高信号摆幅的CMOS图像传感器像素

摘要

本实用新型公开了一种能提高信号摆幅的CMOS图像传感器像素，包括置于半导体基体中的光电二极管、电荷传输晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管、行选择晶体管以及漂浮有源区，靠近所述漂浮有源区一侧的电荷传输晶体管沟道处设有N型杂质离子区，所述N型杂质离子区与所述漂浮有源区相接，并且不与光电二极管相接。N型杂质离子区的势阱耗尽电势小于或等于所述光电二极管的完全耗尽电势。能有效提高像素的电势信号摆幅，拓展像素的电荷饱和阱容量及动态范围，传感器采集到了高照明时更多的实物信息，有效提升了图像传感器输出的图像品质。

主权项

一种能提高信号摆幅的CMOS图像传感器像素，包括置于半导体基体中的光电二极管、电荷传输晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管、行选择晶体管以及漂浮有源区，其特征在于，靠近所述漂浮有源区一侧的电荷传输晶体管沟道处设有N型杂质离子区，所述N型杂质离子区与所述漂浮有源区相接，并且不与所述光电二极管相接。