[实用新型]功率半导体器件有效
| 申请号： | 201420301951.8 | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN204130542U | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | H-J·舒尔策;F·普菲尔施;H·许斯肯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;卢江 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种功率半导体器件，包括：半导体基底层，具有第二导电类型的下部半导体层；有源区，包括：由半导体基底层的至少一部分形成的漂移区；第二导电类型的本体区，形成在漂移区的至少一部分上；第一导电类型的源极区，位于本体区中；第一导电类型的第一掺杂区，至少部分位于本体区之下，所述第一掺杂区的掺杂浓度高于半导体基底层的掺杂浓度；发射极电极，连接到所述源极区；从半导体基底层的顶部向下延伸的沟槽，含有连接到发射极电极的屏蔽电极，其中沟槽延伸到基底层中的深度比第一掺杂区深；和栅极，至少部分形成在至少一部分源极区和本体区上方并且与屏蔽电极电绝缘；其中半导体基底层与布置在半导体基底层上的绝缘层直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件（200），其特征在于所述功率半导体器件包括：半导体基底层（230），具有第二导电类型的下部半导体层（220）；有源区，包括： 由半导体基底层的至少一部分形成的漂移区； 第二导电类型的本体区（250），形成在漂移区的至少一部分上； 第一导电类型的源极区（251），位于本体区（250）中； 第一导电类型的第一掺杂区（240），至少部分位于本体区之下，所述第一掺杂区的掺杂浓度高于半导体基底层（230）的掺杂浓度； 发射极电极（290），连接到所述源极区（251）； 从半导体基底层的顶部向下延伸的沟槽（276），含有屏蔽电极（277），所述屏蔽电极（277）连接到所述发射极电极（290），其中沟槽（276）延伸到基底层中的深度比第一掺杂区（240）深；和 栅极（270），至少部分形成在至少一部分源极区和本体区上方并且与所述屏蔽电极电绝缘；其中所述半导体基底层（230）与布置在半导体基底层（230）上的绝缘层直接接触。
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