[实用新型]一种静电屏蔽效应晶体管

摘要

本实用新型公开了一种静电屏蔽效应晶体管，包括有集电极、槽型栅极、基区、氧化层、多晶硅层以及发射极；其中，所述集电极包括有引出端、N+衬底、N+导电材料层、N-导电材料层；所述N-导电材料层上设置有槽型栅极，在沟槽底部注入一定浓度的B离子以作为P+区，栅极之间设有注有B离子的基区；栅极和基区上面设有氧化层，基区和氧化层上开设有发射极，氧化层上淀积有多晶硅层，多晶硅层经过高温扩散后在发射极下面形成发射区。本实用新型静电屏蔽效应晶体管具有超浅结的发射极和基区，小尺寸的发射极和基区，器件的发射极电流集边效应、基区挤流效应将大大改善。且由于器件结构和基区超浅结深，提升了空穴的抽取速度以及器件的高频特性。

主权项

一种静电屏蔽效应晶体管，其特征在于，包括有：集电极、槽型栅极、基区、氧化层、多晶硅层以及发射极；其中，所述集电极包括有引出端、N+衬底、N+导电材料层、N‑导电材料层；所述集电极的引出端、N+衬底、N+导电材料层以及N‑导电材料层依次相连，所述N‑导电材料层上设置有槽型栅极，在沟槽底部注入一定浓度的B离子以作为P+区，栅极之间设有注有B离子的基区，栅极和基区通过扩散后连成一体；栅极和基区上面设有氧化层，基区和氧化层上开设有发射极，同时氧化层上淀积有多晶硅层，多晶硅层通过离子注入As/P形成导电层；发射极上面的多晶硅层经过高温扩散后在发射极下面形成发射区。