[实用新型]密封环结构有效
申请号: | 201420231706.4 | 申请日: | 2014-05-07 |
公开(公告)号: | CN203826393U | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 李新;戚德奎 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供一种密封环结构,至少包括一层金属层,所述密封环结构的顶层金属层至少包括一圈多边形的密封环;所述密封环每一条边包括至少两条纵向平行排列的金属线,且相邻两条金属线之间形成有若干间隔排列的金属块。所述金属块可以为平行排列的横杆,也可以是与芯片内部金属焊盘相同的结构。本实用新型密封环结构的顶层金属采用新的图形设计,在不牺牲密封环密封性能的前提下,通过改变密封环的形状和布局,将密封环分散为多个小尺寸的部件,该部件与芯片区域的焊盘尺寸接近,从而解决了化学机械抛光产生的凹陷问题,提高键合质量。 | ||
搜索关键词: | 密封 结构 | ||
【主权项】:
一种密封环结构,至少包括一层金属层,其特征在于:所述密封环结构的顶层金属层至少包括一圈多边形的密封环;所述密封环每一条边包括至少两条纵向平行排列的金属线,且相邻两条金属线之间形成有若干间隔排列的金属块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的