[实用新型]叠层片式氧传感器芯片结构有效
| 申请号： | 201420171332.1 | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN203824953U | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 沈奇杰;詹益忠;方小维;白义;汤刚;徐权;占力 | 申请（专利权）人： | 深圳市宏业翔科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区大浪街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型的技术目的提供一种信号稳定、信号响应时间短的叠层片式氧传感器芯片结构。叠层片式氧传感器芯片结构，包括有感应层,所述感应层下方设有氧气掺比通道层、在所述氧气掺比通道层下方设有加热层。本实用新型的技术效果是：密封性能好并且在应用时信号稳定，反应时间短，本实用新型结构简单、成本低廉并且易于实施，适用于叠层片式氧传感器芯片的生产领域。 | ||
| 搜索关键词： | 叠层片式氧 传感器 芯片 结构 | ||
【主权项】：
叠层片式氧传感器芯片结构，其特征是：包括有感应层,所述感应层下方设有氧气掺比通道层、在所述氧气掺比通道层下方设有加热层。
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