[实用新型]一种可集成的高压LDMOS器件

摘要

本实用新型提供了一种可集成的高压LDMOS器件结构，其中包括P型衬底、高压N阱漂移区、P型降场区、场氧化层、栅氧化层、多晶硅栅、多晶硅场板、P型基区、N型漏区缓冲层、N+源区、N+漏区、P+接触区、低温淀积氧化层、金属铝；其特征在于：在无外延单晶衬底上采用P型降场区、多晶硅和金属双层场板、N型漏区缓冲层组合优化结构；有效解决了击穿电压和导通电阻之间的矛盾，同时提高了器件的可靠性。本实用新型采用无外延单晶高压BCD工艺，少了埋层、隔离、外延等工序，降低了制造成本，具有较强的实用性。

主权项

一种可集成的高压LDMOS器件，其特征在于：包括无外延单晶P型衬底；所述无外延单晶P型衬底中设置有相互邻接的源区和高压N阱漂移区；所述高压N阱漂移区上设置有P型降场区和漏区；所述的P型降场区和漏区上覆盖有氧化层；所述氧化层的左上方设置有多晶硅栅，右上方设置有多晶硅场板；所述的多晶硅栅、多晶硅场板以及多晶硅栅和多晶硅场板之间裸露的氧化层上覆盖有低温淀积氧化层；所述低温淀积氧化层的左上方设置有源极金属，右上方设置有漏极金属；所述源极金属的延伸部与所述源区连接；所述漏极金属的延伸部与所述漏区连接，且该漏极金属经所述低温淀积氧化层上的接触窗与所述多晶硅场板连接。